深度對比體硅 FinFET 與 SOI FinFET 的結(jié)構(gòu)和工藝差異
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶體管結(jié)構(gòu)的選擇至關(guān)重要，它直接影響著芯片的性能、能效、成本與可靠性。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到 22nm 以下時(shí)，鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）憑借其三維立體結(jié)構(gòu)成為行業(yè)主流。然而，在 FinFET 陣營內(nèi)部...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-06-26 閱讀：343 關(guān)鍵詞：FinFET
什么是 FinFET？ FinFET 是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)開關(guān)。其應(yīng)用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、高端網(wǎng)絡(luò)、汽車等?！ inFET 代表鰭狀場效應(yīng)晶體管。Fin，因...
保護(hù) FinFET 技術(shù)免受靜電放電影響的進(jìn)展
鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET) 是緊湊型節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域鮮為人知的英雄。非傳統(tǒng)的垂直鰭式設(shè)計(jì)使晶體管能夠更好地分配電流?！ ∨c水平晶體管相比，它們已經(jīng)提高了效率，但進(jìn)步仍在不斷到來。研究主要希望減少靜電放電 (ES...
分類：安防監(jiān)控 時(shí)間：2023-11-28 閱讀：795 關(guān)鍵詞：FinFET 技術(shù)
淺談FinFET存儲(chǔ)器的缺陷修復(fù)和測試算法
同任何IP模塊一樣，存儲(chǔ)器必須接受測試。但與很多別的IP模塊不同，存儲(chǔ)器測試不是簡單的通過/失敗檢測。存儲(chǔ)器通常都設(shè)計(jì)了能夠用來應(yīng)對制程缺陷的冗余行列，從而使片上系統(tǒng)（SoC）良率提高到90%或更高。相應(yīng)地，由...
時(shí)間：2019-01-03 閱讀：987 關(guān)鍵詞：淺談FinFET存儲(chǔ)器的缺陷修復(fù)和測試算法存儲(chǔ)器
深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)
引入 真空管的發(fā)明是電子工業(yè)發(fā)展的重要?jiǎng)恿Α５?，在第二次世界大?zhàn)之后，由于需要大量的分立元件，設(shè)備的復(fù)雜性和功耗顯著增 已保存加，而設(shè)備的性能卻不斷下降，...
時(shí)間：2018-08-17 閱讀：2336 關(guān)鍵詞：深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)GaN工藝技術(shù)
MentorGraphics公司宣布，基于臺(tái)積電（TSMC）的SPICE模擬工具認(rèn)證程序，AnalogFastSPICE（AFS）平臺(tái)（包括AFSMega及Eldo）通過了16奈米FinFET+V0.9制程認(rèn)證。V1.0的認(rèn)證正進(jìn)行中，將于2014
分類：其它 時(shí)間：2014-10-13 閱讀：1298 關(guān)鍵詞：Mentor工具通過TSMC16奈米FinFET+制程認(rèn)證Mentor工具MentorTSMC16
半導(dǎo)體行業(yè)目前面臨集成電路（IC）制造方法的巨大變革，這一變革旨在不斷提高 IC的性能和密度，可能會(huì)對設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生影響。晶圓代工廠家目前正準(zhǔn)備根據(jù)finFET概念加強(qiáng)使用三維晶體管結(jié)構(gòu)的14nm和16nm工藝，因?yàn)橄啾?..
時(shí)間：2014-10-10 閱讀：3304 關(guān)鍵詞：FinFET推動(dòng)更明智的物理IP選擇FinFET 工藝 IC制造
Mentor AFS工具通過16nm FinFET+V0.9工藝制程
MentorGraphics公司日前宣布，基于臺(tái)積電（TSMC）的SPICE仿真工具認(rèn)證程序，AnalogFastSPICE（AFS）平臺(tái)（包括AFSMega及Eldo）通過了16nmFinFET+V0.9工藝制程認(rèn)證。V1.0的認(rèn)證正在進(jìn)行中，將
分類：其它 時(shí)間：2014-09-29 閱讀：2043 關(guān)鍵詞：Mentor AFS工具通過16nm FinFET+V0.9工藝制程認(rèn)證Mentor SPICE仿真工具 工藝制程
FinFET技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展前景
FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術(shù)，同時(shí)許多...
分類：EDA/PLD/PLC 時(shí)間：2013-03-15 閱讀：3934 關(guān)鍵詞：FinFET技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展前景CadenceFinFET技術(shù)場效應(yīng)晶體管
