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分析功率MOS管RDS負(fù)溫度系數(shù)對負(fù)載開關(guān)設(shè)計的影響
跨越，而在關(guān)斷過程中，rds（on）從正溫度系數(shù)區(qū)域向負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域跨越。事實上，在功率mos管內(nèi)部，由大量的晶胞并聯(lián)而成，各個晶胞單元的rds（on）在開關(guān)過程中，動態(tài)的跨越負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域的時候，會產(chǎn)生局部過熱。當(dāng)某個區(qū)域單元的溫度較高時，其導(dǎo)通壓降降低，周邊的電流都會匯聚在這個區(qū)域，產(chǎn)生電流的涌聚，也就產(chǎn)生部分區(qū)域熱點(diǎn)。另外，由于硅片單元特性及結(jié)構(gòu)不一致性、封裝時硅片與框架焊接結(jié)面局部的空隙，容易形成局部的大電流的單元（即熱點(diǎn)），其自身的溫度增加，同時也使其鄰近的單元的溫度增加[3]。 ao4407a的數(shù)據(jù)表轉(zhuǎn)折電壓大于5 v，在轉(zhuǎn)折點(diǎn)處，器件的增益與溫度無關(guān)，溫度系數(shù)為0，ao4407a用于負(fù)載開關(guān)。米勒平臺電壓約為3 v，低于5 v，這表明功率mos強(qiáng)迫工作于線性模式（即放大區(qū)）時，其rds（on）工作于負(fù)溫度系數(shù)區(qū)。當(dāng)內(nèi)部產(chǎn)生熱不平衡時，局部溫度升高，導(dǎo)致這些區(qū)域的vgs降低。而流過這些區(qū)域單元的電流卻進(jìn)一步增加，使功耗增加，進(jìn)而促使溫度又進(jìn)一步上升。其溫度上升取決于功率脈沖電流的持續(xù)時間、散熱條件和功率mos單元的設(shè)計特性，熱失衡導(dǎo)致大電流集中到一個局部區(qū)域，形成熔絲效應(yīng)，產(chǎn)生

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