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分析功率MOS管RDS負(fù)溫度系數(shù)對負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)的影響
贅，c2電容增大到3.1 μf。在此條件下做對比實(shí)驗(yàn)，ao4407a的電路開關(guān)1～2次就損壞了，因ao4407a的熱阻較高為40℃/w。而aod413a的電路開關(guān)多次，仍然可以正常工作。因?yàn)閍od413a具有較低的熱阻（25℃/w）和較大的耗散功率，因此，在較長的米勒平臺的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的熱量可以充分的消散，局部過熱產(chǎn)生的熱不平衡的影響減小。實(shí)驗(yàn)波形如圖2（c）、（d）所示。 3.2 閾值電壓的影響通常對于功率mos管，不同的閾值電壓對應(yīng)于不同的轉(zhuǎn)折電壓，閾值電壓越低，轉(zhuǎn)折電壓也越低。選用ao4403和ao4407a作對比實(shí)驗(yàn)，均為so8封裝，閾值電壓不同，兩個(gè)mos管具體的參數(shù)如表2所示。輸入電壓為12 v，r2=100 kω，c2=1 μf，可以看到兩者具有相同的2.7 a浪涌電流，ao4403的米勒平臺時(shí)間約為124 ms，米勒平臺電壓為-1 v；ao4407a的米勒平臺時(shí)間約為164 ms，米勒平臺電壓為-3.6 v。因此，同樣的外部參數(shù)，由于ao4403具有低閾值電壓，米勒平臺時(shí)間短，使得開通過程中產(chǎn)生的損耗減小，從而減小了系統(tǒng)的熱不平衡，提高了系統(tǒng)的可靠性。實(shí)驗(yàn)波形如圖2（e）、

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