P溝道MOS管
一、核心導(dǎo)通原理P溝道MOS管（PMOS）的導(dǎo)通本質(zhì)上是通過柵極施加負(fù)電壓來形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵源電壓 VGSVGS 低于閾值電壓 VGS(th)VGS(th)（典型值-0.5V至-5V）時(shí)，柵極下方的P型半導(dǎo)體中會感應(yīng)出空穴導(dǎo)電通道，實(shí)現(xiàn)源...
MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點(diǎn)： 制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。 MOS...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-04-22 閱讀：851 關(guān)鍵詞：MOS管
