MOSFET的開關(guān)速度是電源設計、電機驅(qū)動、高頻逆變等場景的核心性能指標，直接決定電路的開關(guān)損耗、工作頻率及系統(tǒng)效率。在影響MOSFET開關(guān)速度的諸多參數(shù)中，柵極電荷Qg（GateCharge）是最關(guān)鍵的參數(shù)之一，卻常被工程...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2026-03-02 閱讀：259
干貨 | 詳談米勒效應對MOSFET開關(guān)過程的危害
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應...
分類：元器件應用 時間：2022-11-14 閱讀：590 關(guān)鍵詞：MOSFET開關(guān)
來自人體、環(huán)境甚至電子設備內(nèi)部的靜電對于精密的半導體芯片會造成各種損傷,例如：穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極；CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死；短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié)；熔化有源...
分類：元器件應用 時間：2022-03-11 閱讀：679 關(guān)鍵詞：詳細分析MOSFET開關(guān)過程米勒效應的影響MOSFET開關(guān)
摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導通過...
時間：2018-08-14 閱讀：842 關(guān)鍵詞：MOSFET,帶電插拔,緩啟動,開關(guān)損耗
Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串WLED驅(qū)動器MAX17061
Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串白光LED(WLED)驅(qū)動器MAX17061。器件采用內(nèi)部的開關(guān)型電流模式升壓控制器驅(qū)動LED陣列，最多可驅(qū)動8串并聯(lián)的LED(每串可連接10個LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個電流源驅(qū)動，
分類：其它 時間：2008-06-12 閱讀：1893 關(guān)鍵詞：Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串WLED驅(qū)動器MAX17061MAX17061WLED驅(qū)動器MAX17061開關(guān)
MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法
MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性能、壽命、EMI水平都有至關(guān)重要的影響，本文介紹了一種簡單實用的方法，利用泰克TDS3000系列示波器，可以實時...
分類：其它 時間：2007-04-03 閱讀：189 關(guān)鍵詞：MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法
