U8726AHE 氮化鎵電源 IC 集成高壓 E - GaN 和啟動(dòng)電路優(yōu)勢(shì)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片尺寸持續(xù)縮小。在這一過(guò)程中，一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題逐漸凸顯：電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)隨芯片尺寸的減小而線性增加。若電源電壓保持恒定，產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度極有可能...

時(shí)間：2025-08-20 閱讀：609 關(guān)鍵詞：氮化鎵電源 IC

基于 TI GaN FET 的 10kW 單相串式逆變器設(shè)計(jì)方案

隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性和能源安全的關(guān)注度不斷提升，儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求在住宅太陽(yáng)能裝置等領(lǐng)域呈現(xiàn)出加速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。在當(dāng)前市場(chǎng)上，存在功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-07-16 閱讀：376 關(guān)鍵詞：逆變器

雙向 GaN 開(kāi)關(guān)：?jiǎn)渭?jí) BDS 轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換

例如，典型的交流/直流電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（OBC）實(shí)施了一個(gè)初始的功率因數(shù)校正（PFC）階段和一個(gè)后續(xù)的 DC/DC 階段，該階段由笨重的“DC-link”電容器緩沖。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...

分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2025-05-23 閱讀：831 關(guān)鍵詞：雙向 GaN

基于GAN的高頻LLC共振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

憑借具有更高功率，較小尺寸和較高效率的清晰趨勢(shì)，高頻LLC諧振轉(zhuǎn)換器是行業(yè)中孤立的DC/DC拓?fù)涞挠形Φ慕鉀Q方案，例如筆記本電腦適配器（> 75W），1KW-3KW數(shù)據(jù)中心...

分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2025-04-02 閱讀：1211 關(guān)鍵詞：LLC共振轉(zhuǎn)換器

為 GaN FET 提供更高的短路能力

足夠的故障檢測(cè)響應(yīng)時(shí)間約為 2 μs [2]，該時(shí)間決定了電源開(kāi)關(guān)所需的短路耐壓時(shí)間 （SCWT） 額定值（即，在源極和漏極之間施加高電壓和高電流的情況下，器件可以承受短路事...

分類(lèi)：電子測(cè)量 時(shí)間：2025-04-02 閱讀：401 關(guān)鍵詞： GaN FET

使用GAN的汽車(chē)降壓/反向提升轉(zhuǎn)換器可高效48 V發(fā)電

在設(shè)計(jì)汽車(chē)轉(zhuǎn)換器時(shí)，尺寸，成本和可靠性是關(guān)鍵因素。為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，最簡(jiǎn)單的雙向拓?fù)?；選擇同步的降壓/反向提升轉(zhuǎn)換器。最大化能源效率也是至關(guān)重要的，在這里，設(shè)計(jì)...

分類(lèi)：汽車(chē)電子/智能駕駛 時(shí)間：2025-03-26 閱讀：732 關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器

GAN ADVANTS EV電源設(shè)計(jì)

電動(dòng)車(chē)設(shè)計(jì)師的目的是使電動(dòng)汽車(chē)更輕，更自動(dòng)，并且通過(guò)提供更多功率，降低系統(tǒng)尺寸并最大程度地減少散熱的場(chǎng)所，并使用較小的電池?！　⊥ㄟ^(guò)在電力轉(zhuǎn)換，高頻切換和熱管理...

分類(lèi)：汽車(chē)電子/智能駕駛 時(shí)間：2025-02-28 閱讀：567 關(guān)鍵詞：GAN ADVANTS EV電源

GAN晶體管電路的布局注意事項(xiàng)

由于GAN的高開(kāi)關(guān)速度，寄生電感　　與老化功率MOSFET相比，在較高的頻率下使用GAN的能力使寄生電感在功率轉(zhuǎn)化電路中的降解作用焦點(diǎn)[1]。這種電感阻礙了GAN額外的開(kāi)關(guān)功能的...

分類(lèi)：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-02-25 閱讀：548 關(guān)鍵詞：GAN晶體管

高效 GaN 設(shè)計(jì)的七個(gè)步驟

步驟 1 – 柵極驅(qū)動(dòng)器選擇　　驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 (E-HEMT) 的柵極與驅(qū)動(dòng)硅 (Si) MOSFET 的柵極有相似之處，但也有一些有益的區(qū)別?！　◎?qū)動(dòng) GaN E-HEMT 并...

分類(lèi)：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-01-06 閱讀：661 關(guān)鍵詞：GaN

利用 SiC 和 GaN 電源滿足 AI 需求

第一代 AI PSU：采用相同架構(gòu)，功率更高，約 5.5–8 kW，50 V輸出，277 V交流，單相　　目前的AI服務(wù)器PSU大多遵循ORv3-HPR標(biāo)準(zhǔn)。在該標(biāo)準(zhǔn)中，大多數(shù)規(guī)格，包括輸入和輸出...

分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2025-01-02 閱讀：1017 關(guān)鍵詞：GaN 電源

光伏優(yōu)化器使用 eGaN FET 和專(zhuān)用 ASIC 控制器

第一種配置是微型逆變器，它為安裝中的每個(gè)面板使用逆變器，確保每個(gè)面板都能發(fā)揮其全部能源潛力。第二個(gè)是串式逆變器，它將多個(gè)面板連接在一起并向中央逆變器供電。然而，...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-11-27 閱讀：755 關(guān)鍵詞： ASIC 控制器

使用雙向 GaN 開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換

傳統(tǒng)兩級(jí)與單級(jí)轉(zhuǎn)換　　在傳統(tǒng)的兩級(jí)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，功率因數(shù)校正（PFC）和DC/DC轉(zhuǎn)換是分開(kāi)處理的，需要多個(gè)組件并導(dǎo)致更高的成本、更大的外形尺寸和更大的復(fù)雜性?！　∮?..

時(shí)間：2024-11-27 閱讀：1067 關(guān)鍵詞： GaN 開(kāi)關(guān)

檢查垂直 GaN 功率 IC

結(jié)合 GaN IC 的橫向和垂直幾何形狀　　結(jié)合兩全其美是垂直 GaN 功率 IC 開(kāi)發(fā)背后的座右銘?！　M向 GaN 技術(shù)及其HEMT 設(shè)計(jì)徹底改變了電力電子領(lǐng)域，與傳統(tǒng)的硅基功率晶體...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-11-15 閱讀：470 關(guān)鍵詞：GaN

p-GaN HEMT功率器件漏柵過(guò)壓失效機(jī)理分析

漏極過(guò)電壓應(yīng)力　　在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間，功率轉(zhuǎn)換器中可能會(huì)出現(xiàn)漏極過(guò)電壓。有多種因素會(huì)影響這些過(guò)沖的嚴(yán)重程度，包括正在切換的電流的轉(zhuǎn)換率 (dI/dt) 以及與封裝和外部連接...

分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-10-31 閱讀：526 關(guān)鍵詞：p-GaN HEMT功率器件

用于廣泛電源管理的 BiGaN 開(kāi)關(guān)

保護(hù) USB 端口、不同電源供電的設(shè)備的開(kāi)關(guān)電路以及高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)免受浪涌影響，都依賴(lài)于雙向電壓阻斷和電流傳導(dǎo)。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)在共源極配置中背對(duì)背連...

分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2024-10-21 閱讀：752 關(guān)鍵詞：BiGaN開(kāi)關(guān)

增強(qiáng) E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性　　共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開(kāi) GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增...

分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2024-10-09 閱讀：742 關(guān)鍵詞： GaNFET