耦合也是光發(fā)射模塊的關(guān)鍵工藝之一，耦合的效果直接影響著出射光的性能。激光器芯片和光纖的耦合有兩種 形式：即直接耦合和間接耦合。直接耦合由激光器發(fā)出的光直接進入光纖，不經(jīng)過其他中間元件。間接耦合則在 激光...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：3359 關(guān)鍵詞：并行光發(fā)射模塊耦合技術(shù)光發(fā)射
目前廣泛使用的攝像器件是CCD型攝像器件。CCD于1970年由貝爾實驗室發(fā)明［82］，此后關(guān)于CCD的研究蓬勃發(fā)展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um減小到了1995年的5 gm，像素單元也從最早的不足2000增加到兩千六百多萬［83...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：3099 關(guān)鍵詞：光電探測器陣列CCD攝像器件MOSFET探測器
將多個PN型光電探測器組成陣列，可以形成光電成像系統(tǒng)中的攝像器件。攝像器件的功能是將照射到探測器陣列上的光學(xué)圖像信息以電信號形式按時序串行輸出。常見的固體攝像器件有CMOS（Complementary Metal Oxide Semico...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：3015 關(guān)鍵詞：光電探測器陣列攝像器件的像素基本結(jié)構(gòu)DEVICESEMICONDUCTORCMOSCOMPLEMENTARY探測器
VCSEL工作時需要提供恒定的驅(qū)動電流，由于VCSEL的閾值電流很低，驅(qū)動電流為毫安量級，而且VCSEL陣列可以 通過控制材料生長技術(shù)和制備工藝條件獲得比較均勻的閾值電流和開啟電壓。VCSEL驅(qū)動電路設(shè)計可以相對簡單。 驅(qū)...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：4045 關(guān)鍵詞：并行光發(fā)射模塊驅(qū)動電路光發(fā)射
隨著常規(guī)的光纖傳輸正向著高速大容量的方向發(fā)展，并行光發(fā)射和接收技術(shù)也是實現(xiàn)這一方向的方案之一。首先，在相同的電路速率下，并行光發(fā)射技術(shù)可以提供更大的容量：其次，它可以用中高速電路數(shù)量和光纖數(shù)量來取得高...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2167 關(guān)鍵詞：并行光發(fā)射模塊光發(fā)射模塊
由于VSR技術(shù)面向在較短距離上傳輸較高速率的信息，因此VSR技術(shù)和骨干網(wǎng)光纖傳輸技術(shù)有很大的不同。骨干網(wǎng)系統(tǒng)傳輸必須考慮到傳輸過程中存在的損耗、非線性效應(yīng)、色散和偏振模色散（PolarizationModeDispersion，PMD...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：1864 關(guān)鍵詞：甚短距離光傳輸技術(shù)VSR技術(shù)的主要特點光傳輸
甚短距離光傳輸技術(shù)VSR技術(shù)的基本工作形式
從光信號傳輸?shù)慕嵌葋砜矗琕SR可以分為并行光傳輸和串行光傳輸兩種。串行方式通常采用850nm或者1310nm波長的激光器，根據(jù)光源不同而采用相應(yīng)的單?；蛘叨嗄９饫w，傳輸速率在10Gb/s以上。并行方式一般由并行的多模光纖...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：1493 關(guān)鍵詞：甚短距離光傳輸技術(shù)VSR技術(shù)的基本工作形式光傳輸
甚短距離光傳輸技術(shù)VSR在網(wǎng)絡(luò)體系中的位置
由于短波長VCSEL技術(shù)的成熟，使得VCSEL陣列激光光源的價格非常低，在系統(tǒng)設(shè)備內(nèi)部，例如在計算機主板上 就可以采用光互連，實現(xiàn)高速信號的傳送，其作用距離不過幾十厘米。而另一方面，ITU－T的G.693標(biāo)準(zhǔn)則把甚短 距...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：1640 關(guān)鍵詞：甚短距離光傳輸技術(shù)VSR在網(wǎng)絡(luò)體系中的位置光傳輸
甚短距離光傳輸技術(shù)（VSR）的定義和標(biāo)準(zhǔn)
廣義上講，任何有別于骨干網(wǎng)傳輸，在較短距離內(nèi)，能夠高效傳送信息的光傳輸系統(tǒng)都可以稱為甚短距離光傳輸系統(tǒng)。甚短距離光傳輸?shù)墓ぷ骶嚯x在0～600m的范圍，600～2km的距離一般稱為短距離傳輸（ShortReach），2～40km...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2179 關(guān)鍵詞：甚短距離光傳輸技術(shù)（VSR）的定義和標(biāo)準(zhǔn)光傳輸
集成的探測器BiCMOS工藝僅僅是為了制作集成性能更好的光電探測器；其中電路部分則不是決定性的因素?！ D1 基于標(biāo)準(zhǔn)SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極管 圖1中介紹了—種基于0.6 gm標(biāo)準(zhǔn)SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2240 關(guān)鍵詞：工藝下集成光電探測器探測器
現(xiàn)有的同步光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)是按長距離骨干網(wǎng)設(shè)計的，采用的是比較昂貴的串行光發(fā)射和接收設(shè)備，對光纖線路的要求較高，必須對整個光纖鏈路進行細(xì)致地設(shè)計、模擬。而短距離光傳送方式與骨干網(wǎng)有很大的不同，由于距離較短，...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：1916 關(guān)鍵詞：甚短距離光傳輸技術(shù)（VSR）簡介光傳輸
穿通效應(yīng)（Reach-Through Effect）。當(dāng)兩個與襯底的摻雜類型不同的阱相鄰時，穿通效應(yīng)的影響就會很重要。當(dāng)兩個阱中電路為模擬電路時，阱的電位可能互不相同。當(dāng)兩個阱的電位之差足夠大時，阱的耗盡區(qū)向外擴展并可能...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：3166 關(guān)鍵詞：相同類型阱之間的穿通效應(yīng)CMOS
閂鎖效應(yīng)（Latch-Up Effect）。在N阱與P阱接觸的地方存在著發(fā)生閂鎖效應(yīng)的危險。如圖1中所示，存在于MOS晶體管結(jié)構(gòu)中的兩個寄生雙極晶體管各自的基極分別與對方的集電極相連，形成了四層的晶閘管的結(jié)構(gòu)。當(dāng)其中一個...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：7853 關(guān)鍵詞：寄生雙極型晶體管閂鎖效應(yīng)的影響CMOS晶體管
圖1中介紹了一種在輕摻雜的P型襯底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工藝制作的橫向PIN光電二極管［59～60］?！ D1 NMOS集成橫向PIN光電二極管 由于PIN結(jié)構(gòu)是直接制作在高電阻率的襯底上，因而I層的厚度可以...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：3790 關(guān)鍵詞：集成橫向PIN光電二極管DELTA二極管
一種利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn)的旨在消除緩慢載流子擴散對探測器頻率響應(yīng)產(chǎn)生影響的空間調(diào)制光電探測器（Spatially-Modulated-Light Detector）結(jié)構(gòu)被提出[57]，如圖1（a）所示。由N+擴散和N阱形成六個叉指探測區(qū)域，N+...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2685 關(guān)鍵詞：空間調(diào)制光電探測器CMOS探測器
圖1 TSMC 0.35pm CMOS工藝參數(shù)下光電探測器的器件模擬 圖1（a）模擬了工作二極管響應(yīng)電流與外加反壓的關(guān)系曲線，三條曲線分別為無光照、光照強度分別為1WZcm2、25w/cm2，光波長為0.85gm時工作二極管的響應(yīng)電流...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2770 關(guān)鍵詞：工藝參數(shù)下光電探測器的器件模擬LUCENTCMOS探測器
圖1給出了在器件模擬軟件Atlas中輸入的器件結(jié)構(gòu)、外加電壓示意圖和經(jīng)二維模擬得出的pn結(jié)的位置和耗盡區(qū)位置［56］，從圖可見，N阱與P＋區(qū)構(gòu)成一個二極管，稱為工作二極管D。；N阱與襯底構(gòu)成一個二極管，稱為屏蔽二極...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：1969 關(guān)鍵詞：二維器件模擬光電探測器的結(jié)構(gòu)CMOS探測器
CMOS光電探測器的響應(yīng)時間較慢是高速光電接收器單片集成的主要障礙。由于硅對波長肛638 nm吸收深度較深（約10 gm），同時CMOS工藝中源漏注入形成的pn結(jié)結(jié)深較淺（＜1 gm），因此大量的光生載流子是在pn結(jié)外的體硅內(nèi)...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2200 關(guān)鍵詞：光電P型叉指結(jié)構(gòu)二極管CMOS二極管
N+-P襯底結(jié)構(gòu)中的P型摻雜濃度一般大于1016 cm-3，造成pn結(jié)空間電荷區(qū)，也就是光生載流子漂移區(qū)的寬度太小，大部分的光生載流子產(chǎn)生在這個區(qū)域之外。這部分載流子的運動形式主要是緩慢的擴散運動，這就大大限制了光電...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：4281 關(guān)鍵詞：雙光電二極管（DPD）CMOS二極管
圖1所示為國內(nèi)東南大學(xué)設(shè)計的一種LD發(fā)射機原理圖。其發(fā)光部分LD采用VCSEL激光器，實現(xiàn)了單片集成。下面 主要介紹一下該機驅(qū)動電路部分的模塊設(shè)計。芯片指標(biāo)如表1所示。圖1 一種LD發(fā)射機框圖 表1 LD發(fā)射器驅(qū)動電路...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2696 關(guān)鍵詞：LD發(fā)射機實例LD發(fā)射機
