本文組借鑒國(guó)外并行光互連鏈路的經(jīng)驗(yàn)，應(yīng)用一維線陣結(jié)構(gòu)的SEED智能像素，將4×4 SEED智能像素制作成1×20 （4×5，一組冗余）線陣結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)適合的耦合方式，利用硅片的選擇腐蝕技術(shù)，制作硅基光纖定位夾持器，研 制...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1829 關(guān)鍵詞：SEED智能像素總體設(shè)計(jì)SEED智能像素
SEED器件利用超晶格量子阱二維自由激子吸收在外電場(chǎng)作用下的非線性變化，通過外部反饋元件的正反饋?zhàn)饔每蓪?shí)現(xiàn)光雙穩(wěn)功能；通過多量子阱電吸收及電色散效應(yīng)，可對(duì)光強(qiáng)進(jìn)行調(diào)制，從而實(shí)現(xiàn)光調(diào)制開關(guān)功能。量子阱的室溫...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1470 關(guān)鍵詞：SEED智能像素器件的工作原理SEED智能像素
隨著分子束外延（MBE）和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）技術(shù)的成熟與發(fā)展，可以在半導(dǎo)體襯底上均勻生 長(zhǎng)原子量級(jí)的超薄層田，通過兩種半導(dǎo)體材料的交替生長(zhǎng)，形成一系列周期性的勢(shì)壘和勢(shì)阱，這就是所謂的超晶 格量...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1570 關(guān)鍵詞：SEED智能像素器件的物理基礎(chǔ)SEED智能像素
由于微光電子集成智能像素集光子集成器件和超大規(guī)模集成電路于一體，同時(shí)具有光信號(hào)探測(cè)、調(diào)制、變換、 處理、發(fā)射、傳輸?shù)裙δ芎碗娦盘?hào)存儲(chǔ)、放大、邏輯、智能控制等功能。因此微光電子集成智能像素可廣泛應(yīng)用 于光...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1723 關(guān)鍵詞：智能像素的應(yīng)用智能像素
件建模的目的就是在一定的限定條件下，通過模擬優(yōu)化，使器件性能滿足我們的要求。因?yàn)槠骷奶匦圆豢赡苋康玫絻?yōu)化，它們之間存在相互制約的關(guān)系，所以在進(jìn)行建模之前，我們首先要根據(jù)實(shí)際需要，確定設(shè)計(jì)目標(biāo)，比如...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1784 關(guān)鍵詞：器件建模光小目位調(diào)制器
垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical－CavitySurface－EmittingLaser，VCSEL）及其陣列是一種新型的半導(dǎo)體激光器，是光子學(xué)器件在集成化上的一項(xiàng)重大突破，它可以充分發(fā)揮光子的平行操作能力，在光互連、光通信、圖像信號(hào)...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1869 關(guān)鍵詞：VCSEL智能像素VCSEL
對(duì)于硅來(lái)說(shuō)，最有效的電光調(diào)制方法是利用自由載流子的注入和耗盡。利用這個(gè)效應(yīng)我們可以做成光強(qiáng)度調(diào)制器［15～16］、相位調(diào)制器［11］等。其中，相位調(diào)制器是比較有效的一種方法，因?yàn)樗梢杂幂^小的折射率改變來(lái)調(diào)...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1473 關(guān)鍵詞：光小目位調(diào)制器
半導(dǎo)體多量子阱自電光效應(yīng)器件是20世紀(jì)80年代后期迅速發(fā)展起來(lái)的一種新穎的光電混合型光邏輯開關(guān)器件。SEED是美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室對(duì)自電光效應(yīng)器件（SelfElectro－OpticEffectDevice）的簡(jiǎn)稱囫，其他一些國(guó)家稱這種器件為...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1754 關(guān)鍵詞：SEED智能像素SEED
智能像素是將高密度的光子集成器件與大規(guī)模集成電路進(jìn)行集成，構(gòu)成具有實(shí)用價(jià)值的光電子集成系統(tǒng)，其中光子集成器件是智能像素的關(guān)鍵，它是根據(jù)系統(tǒng)功能的要求，將一種類型的光子器件重復(fù)分布成矩陣形陣列，大規(guī)模集...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1288 關(guān)鍵詞：智能像素對(duì)光子集成器件的要求光子集成器件
智能像素是一種對(duì)輸入光信息具有自主處理能力，經(jīng)內(nèi)部光子回路或電子電路處理后，再以光波形式輸出信息的光子集成或光電子集成智能單元。為增強(qiáng)對(duì)光信號(hào)的處理能力，這種智能集成單元通常制作成垂直接收和發(fā)射光的陣...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1470 關(guān)鍵詞：微光電子集成智能像素概述微光電子
硅基電光F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖
F-P結(jié)構(gòu)[18]：如圖1所示。通過F－P腔形成選頻結(jié)構(gòu)｀透射峰值頻率相應(yīng)發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)所用光波長(zhǎng)的強(qiáng)度調(diào)制。容差小。 圖1 F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖 歡迎轉(zhuǎn)載，信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)（www.58mhw.cn）
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：2209 關(guān)鍵詞：硅基電光F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖
硅基電光調(diào)制器Mach-Zehender結(jié)構(gòu)
Mach-Zehender結(jié)構(gòu)：通過M－Z結(jié)構(gòu)，改變其中一臂或兩臂折射率，使其產(chǎn)生折射率差，進(jìn)行相位調(diào)制并產(chǎn)生干涉實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度調(diào)制。特點(diǎn)是制作簡(jiǎn)單，但器件尺寸偏大。M－Z干涉儀結(jié)構(gòu)如圖1所示?！ D1 M－Z干涉儀結(jié)構(gòu) 歡...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：2149 關(guān)鍵詞：硅基電光調(diào)制器Mach-Zehender結(jié)構(gòu)
從電學(xué)結(jié)構(gòu)分，可分為 （1）PIN結(jié)構(gòu)：通過PIN［15］結(jié)構(gòu)的正偏或反偏來(lái)實(shí)現(xiàn)載流子的注入或耗盡。其特點(diǎn)是制作工藝較簡(jiǎn)單，集成度差，響應(yīng)頻率較低，從幾百kHz到幾MHz。如果截面做得小，則調(diào)制頻率可達(dá)幾十兆赫茲...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：3405 關(guān)鍵詞：硅基電光調(diào)制器分類
波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點(diǎn)
對(duì)于SOl波導(dǎo)來(lái)說(shuō)，CVD技術(shù)一般用來(lái)淀積其上包層，通常為二氧化硅或氮化硅。對(duì)于調(diào)制器等有源器件來(lái)說(shuō)，這一層還起著隔離金屬電極減小電極對(duì)波導(dǎo)造成損耗的作用，所以厚度一定要選擇合適，不能太薄，如果薄了就不能起...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1416 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點(diǎn)
刻蝕即通過物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕，它們各有優(yōu)缺點(diǎn)。但對(duì)于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來(lái)說(shuō)，干法刻蝕居主導(dǎo)地位。對(duì)于SOl波...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1348 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl刻蝕工藝特點(diǎn)
脊形光波導(dǎo)的尺寸主要是由光刻工藝決定的。光刻受周圍環(huán)境、設(shè)備條件等影響較大；所以，要保證光刻工藝的質(zhì)量，就需要對(duì)光刻有一個(gè)全面的認(rèn)識(shí)。微電子工藝的關(guān)鍵尺寸（CriticalDimension）目前已經(jīng)減小至65nm，對(duì)于...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1504 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl光刻工藝特點(diǎn)
波導(dǎo)SOl硅外延生長(zhǎng)工藝特點(diǎn)
對(duì)于大截面的SOl光波導(dǎo)來(lái)說(shuō)，頂層硅的厚度不一定能滿足要求。這時(shí)候就需要外延生長(zhǎng)一定厚度的硅。一般的外延技術(shù)采用化學(xué)氣相沉積CVD（ChemicalVaporDeposition）來(lái)實(shí)現(xiàn)。CVD是一種利用氣體混合物發(fā)生反應(yīng)，從而在硅...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1390 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl硅外延生長(zhǎng)工藝特點(diǎn)
將SIMOX和BESOI的步驟結(jié)合起來(lái)就形成了智能切割。將注入劑量為1017/cm2的氫離子注入到熱氧化的基片中，形成高斯分布的輪廓?；砻娴綒潆x子峰值濃度的距離取決于注入能量，通常在幾百納米到幾微米之間；而在氫離子...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1338 關(guān)鍵詞：基片的SOl智能切割
將兩種親水表面（如二氧化硅）緊密接觸可以形成很強(qiáng)的鍵合。這種現(xiàn)象使BESOI法在20世紀(jì)70年代就發(fā)展起來(lái)了?！ ESQI的制作分如下三個(gè)步驟：（1）氧化兩個(gè)基片，為鍵合做準(zhǔn)備；（2）化學(xué)鍵合兩個(gè)氧化基片；（3）減...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1597 關(guān)鍵詞：基片的SOl背部刻蝕和鍵合
氧注入分離法是將大量的氧離子注入到單晶硅片表面一層薄膜之下，對(duì)于大批量生產(chǎn)很有意義。雖然其工藝概念較簡(jiǎn)單，但是對(duì)于器件級(jí)的SOl來(lái)說(shuō)，其工藝冗余度卻比較低。我們通過注入劑量，即每平方厘米注入到基片中的離...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1460 關(guān)鍵詞：基片的SOl氧注入分離法
