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元器件：功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢
的單個(gè)器件中是internationalrectifier公司的專利。 fetky器件封裝包括了一個(gè)控制mosfet、同步mosfet和肖特基二極管，以圖簡化單相降壓變換器。在這種電路中，肖特基二極管用于減小同步fet中反向恢復(fù)的電荷損耗。電流密度也得到了改善，因?yàn)楝F(xiàn)在1個(gè)封裝取代了3個(gè)器件。共同封裝的自然發(fā)展結(jié)果就是集成化，此時(shí)可以將mosfet、二極管、ic和對(duì)電路布局來說至關(guān)重要的無源元件集成到單個(gè)器件上。internationalrectifier采用了ipowir技術(shù)的ip2001和1001就是這類器件的良好實(shí)例。ip2001封裝在11×11×3mm的bga封裝中，它只需接上一個(gè)多相控制器、輸入和輸出電容以及輸出電感，就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)功能完備的大電流變換器。1個(gè)ip2001每相可以取代多達(dá)11個(gè)分立元件。集成化不僅使得占用面積減少了44％，而且與分立方案相比提高了10％的效率。未來的發(fā)展隨著便攜式電子產(chǎn)品電流密度和尺寸的提高，共同封裝及集成化在提高系統(tǒng)性能方面越來越變得必不可少。最成功的平臺(tái)將提供最低的每安培電流成本，同時(shí)保證用戶所需的外形規(guī)格。
功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢
稱作fetky的單個(gè)器件中是internationalrectifier公司的專利。 fetky器件封裝包括了一個(gè)控制mosfet、同步mosfet和肖特基二極管，以圖簡化單相降壓變換器。在這種電路中，肖特基二極管用于減小同步fet中反向恢復(fù)的電荷損耗。電流密度也得到了改善，因?yàn)楝F(xiàn)在1個(gè)封裝取代了3個(gè)器件。共同封裝的自然發(fā)展結(jié)果就是集成化，此時(shí)可以將mosfet、二極管、ic和對(duì)電路布局來說至關(guān)重要的無源元件集成到單個(gè)器件上。internationalrectifier采用了ipowir技術(shù)的ip2001和1001就是這類器件的良好實(shí)例。ip2001封裝在11×11×3mm的bga封裝中，它只需接上一個(gè)多相控制器、輸入和輸出電容以及輸出電感，就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)功能完備的大電流變換器。1個(gè)ip2001每相可以取代多達(dá)11個(gè)分立元件。集成化不僅使得占用面積減少了44％，而且與分立方案相比提高了10％的效率。未來的發(fā)展隨著便攜式電子產(chǎn)品電流密度和尺寸的提高，共同封裝及集成化在提高系統(tǒng)性能方面越來越變得必不可少。最成功的平臺(tái)將提供最低的每安培電流成本，同時(shí)保證用戶所需的外形規(guī)格。 (end)

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