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STGD7NB60ST4

更新時間:2025-06-04 10:19:19

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STGD7NB60ST4外觀圖

STGD7NB60ST4

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 600V 15A 55W DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STGD7NB60ST4 概述

STGD7NB60ST4是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關電源應用。它具有低導通電阻和快速開關特性，優(yōu)化用于提高能效并減少功率損耗。該型號最大漏源電壓為600V，適合在高壓應用中使用。其典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動以及各種消費電子設備中的電源管理電路。在實際應用中，建議在PCB設計時確保良好的熱管理，以充分發(fā)揮其性能。由于其較高的開關速度，在布局時應注意減少寄生電感，避免產生電壓尖峰。對于初學者來說，可以參考意法半導體提供的參考設計來加快開發(fā)進度。如果需要更詳細的技術參數，可查閱官方數據手冊以獲取諸如閾值電壓、最大電流等具體數值。

STGD7NB60ST4 規(guī)格參數

其它有關文件
STGD7NB60S View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.6V @ 15V，7A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
15A
功率 - 最大
55W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12594-6

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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