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FQPF5N80

更新時間:2025-06-14 04:52:44

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FQPF5N80外觀圖

FQPF5N80

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF5N80 概述

FQPF5N80是Fairchild Semiconductor生產的一款N溝道MOSFET，采用TO-220F封裝。該器件設計用于高電壓應用，具有800V的漏源擊穿電壓，適用于開關電源、逆變器和其他需要高壓開關的電力電子設備中。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。在開關電源中常用作初級側開關管，也可應用于電機驅動電路。使用時需注意散熱設計，確保工作在安全溫度范圍內，避免超過最大額定電流和電壓以保障長期可靠性。根據具體應用需求合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關速度和EMI性能。

FQPF5N80 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.6 歐姆 @ 1.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1250pF @ 25V
功率 - 最大
47W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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