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FQD3P50TM

更新時間:2025-06-11 07:25:38

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原廠代理終端免費提供樣品

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原裝可開發(fā)票

深圳市凱斯宇科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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香港創(chuàng)未來電子發(fā)展有限公司
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北京金州智業(yè)科技有限公司
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FQD3P50TM外觀圖

FQD3P50TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD3P50TM 概述

FQD3P50TM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能的電源管理應用，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻DC-DC轉換器、同步整流以及電機驅動電路等場合。此MOSFET的最大漏源電壓為50V，在25℃條件下最大連續(xù)漏極電流可達12A，其柵極電荷量較低，有助于減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。封裝形式為DPAK，適合緊湊型設計需求。在實際應用中，需注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度與EMI性能之間的平衡。同時，由于MOSFET對靜電敏感，建議在操作時采取適當?shù)姆漓o電措施。對于高頻率應用，確保良好的PCB布局以最小化寄生電感和電容影響至關重要。

FQD3P50TM 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.9 歐姆 @ 1.05A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
23nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
660pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD3P50TM-NDFQD3P50TMTR

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FQD30N06TF
FQD30N06TM
FT232RL

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