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FQD2N90TM

更新時間:2025-05-20 18:25:19

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
FQD2N90TM
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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原裝現(xiàn)貨可提供BOM配單

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原裝現(xiàn)貨，市場價格

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一級代理商可提供技術方案支持

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Freescale(飛思卡爾)
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深圳市鵬先達電子有限公司
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原裝正支持實單

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一手工廠庫存，貨穩(wěn)/價低/快速

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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨，提供一站式配套服務

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誠信20載。交易網(wǎng)ISSCP會員

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保證全新原裝

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官網(wǎng)可查icscjh.com

深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市硅諾電子科技有限公司
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89000
FAI
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

深圳市捷立輝科技有限公司
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31019
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只做原裝合作一次終身受益

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深圳市金嘉銳電子有限公司
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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11/23+
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FQD2N90TM外觀圖

FQD2N90TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD2N90TM 概述

FQD2N90TM是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，適用于高頻開關應用。它具有低導通電阻和快速開關特性，能夠降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。該MOSFET的最大漏極-源極電壓（Vds）為900V，最大連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為1.7A，這使其非常適合用于高電壓應用場合如交流-直流電源轉換器、DC-DC轉換器以及照明控制系統(tǒng)等。在實際應用中，F(xiàn)QD2N90TM通常被用作初級側開關，在反激式變換器或正激式變換器中表現(xiàn)尤為突出。為了確保最佳性能，建議在PCB設計時保持柵極驅動線路盡可能短以減少寄生電感，并且合理選擇柵極電阻值來優(yōu)化開關速度與EMI之間的平衡。此外，應注意散熱設計，保證器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

FQD2N90TM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.2 歐姆 @ 850mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
500pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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