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FDZ293P

更新時間:2025-06-18 02:01:19

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FDZ293P外觀圖

FDZ293P

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA

封裝:9-WFBGA

FDZ293P 概述

FDZ293P是Fairchild Semiconductor生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET，采用SC-82（也稱為SOT-363）封裝，適合表面貼裝應用。該器件的最大漏極-源極電壓為-20V，適用于低電壓、低功耗的模擬開關(guān)和負載切換電路。其典型導通電阻在4.5V柵極驅(qū)動下為0.1Ω，能有效降低導通損耗。常見于便攜式電子設(shè)備如手機、平板電腦中的電源管理模塊，用于電池充電控制和負載切換。設(shè)計時需注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠以保證MOSFET完全導通，避免因部分導通導致發(fā)熱。在實際應用中，建議在PCB布局時盡量減小源極與漏極之間的走線長度，以減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。

FDZ293P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
46 毫歐 @ 4.6A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
754pF @ 10V
功率 - 最大
1.7W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
9-WFBGA
供應商設(shè)備封裝
9-BGA
包裝
帶卷 (TR)

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