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FDR838P

更新時間:2025-06-12 15:42:22

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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深圳市龍勝微科技有限公司
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注重品質(zhì)，價格優(yōu)勢

深圳市硅宇電子有限公司
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ON Semiconductor(安森美)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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FDR838P外觀圖

FDR838P

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

封裝:8-SSOT，SuperSOT-8

FDR838P 概述

FDR838P是Fairchild Semiconductor生產(chǎn)的一款高壓N溝道MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高功率應用場合。其具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括電源轉(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)、直流電機驅(qū)動以及高頻開關(guān)電源等。在電源轉(zhuǎn)換器中，F(xiàn)DR838P可以作為主開關(guān)管使用，能夠承受高達500V的漏源電壓和12A的連續(xù)漏極電流。使用時需要注意散熱設(shè)計，確保工作溫度在安全范圍內(nèi)。建議在PCB布局時盡量縮短源極到柵極的走線長度以減少寄生電感，并添加適當?shù)臇艠O電阻來控制開關(guān)速度，防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于大電流應用場合，推薦增加額外的散熱片以改善熱性能。

FDR838P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
17 毫歐 @ 8A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3300pF @ 10V
功率 - 最大
900mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SSOT，SuperSOT-8
供應商設(shè)備封裝
8-SSOT
包裝
帶卷 (TR)

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