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FDP51N25

更新時間:2025-05-26 16:15:47

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
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詢價

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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中科航電（深圳）電子集團有限
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FDP51N25外觀圖

FDP51N25

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 250V 51A TO-220

封裝:TO-220-3

FDP51N25 概述

FDP51N25是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。它采用TO-220封裝，適用于中等功率應用場合。該器件具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.07Ω，有助于減少導通損耗。其漏源擊穿電壓可達250V，能夠滿足較高電壓應用場景需求。這款MOSFET廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領域。在實際應用中，使用時需注意散熱設計，以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。對于電機驅(qū)動電路，可根據(jù)具體功率需求選擇合適的柵極電阻值來控制開關(guān)速度，同時搭配適當?shù)睦m(xù)流二極管以保護MOSFET不受反向電動勢沖擊。

FDP51N25 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
51A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 25.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3410pF @ 25V
功率 - 最大
320W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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