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FDP3632

更新時間:2025-07-03 21:26:34

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FDP3632外觀圖

FDP3632

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB

封裝:TO-220-3

FDP3632 概述

FDP3632是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值僅為28mΩ，這有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓(VDS)可達30V，適合用于低壓電源管理電路中。常見應用場景包括負載開關、電池保護電路以及DC-DC轉換器等便攜式電子設備領域。在實際應用中，需注意保證柵極驅(qū)動電壓足夠以確保MOSFET完全導通，減小導通損耗。同時，由于其封裝尺寸較小，在設計PCB布局時要充分考慮散熱問題，合理安排銅箔面積以增強散熱效果。若用于高頻開關電路，還應關注其柵極電荷量以優(yōu)化開關速度。

FDP3632 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
400
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6000pF @ 25V
功率 - 最大
310W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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