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FDMS86150

更新時間:2025-05-16 18:55:58

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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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FDMS86150 概述

FDMS86150是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效功率轉換應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性，能在減少能量損耗的同時提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓（VDS）為100V，適合于需要高耐壓和大電流處理能力的場合。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、直流-直流轉換器以及電池管理系統(tǒng)等。在實際應用中，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以保證MOSFET完全導通，并注意散熱設計以維持器件長期穩(wěn)定運行。對于高頻應用，還需考慮寄生電容對電路性能的影響。

FDMS86150 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
326現(xiàn)貨
系列
PowerTrench?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
16A（Ta），60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.85 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4065 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），156W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-PQFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

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