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FDG6308P

更新時間:2025-07-03 15:24:06

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FDG6308P外觀圖

FDG6308P

Fairchild Semiconductor FET - 陣列

MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

FDG6308P 概述

FDG6308P是由ON Semiconductor生產的一款高性能雙N/P溝道MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為20V，適用于需要高效功率管理的應用場景。典型應用場景包括便攜式設備、智能手機和平板電腦中的電源管理電路。它常用于負載開關、電平轉換器和電池保護電路中。由于其超小型封裝（1.8mm x 2.4mm WDFN），特別適合空間受限的設計。在應用時應注意合理的PCB布局以優(yōu)化散熱性能，并確保柵極驅動電壓符合要求。建議在柵極串聯小電阻來抑制振鈴現象。對于電池保護應用，可將其與檢測電路配合使用，實現過流和短路保護功能。整體而言，FDG6308P是一款兼具性能與尺寸優(yōu)勢的理想選擇。

FDG6308P 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
600mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 600mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
153pF @ 10V
功率 - 最大
300mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SC-70-6
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDG6308P-NDFDG6308PTR

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FDG6301N(PB-FREE)
FDG6301N_NL
FDN338P

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