DDR3和DDR4是計算機內(nèi)存模塊的兩種標(biāo)準(zhǔn)，它們在數(shù)據(jù)傳輸速度、能效、密度等方面有所不同。以下是它們的主要特點： DDR3（Double Data Rate 3） 數(shù)據(jù)傳輸速度: DDR3內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度相對較慢，最高可達每秒16...
時間：2024-03-07 閱讀：585 關(guān)鍵詞：DDR3,DDR4
這種替代存儲器（歷史上稱為存儲級存儲器）在密度和成本方面應(yīng)優(yōu)于 DRAM，同時訪問速度比 NAND 閃存快得多。最近，生成型人工智能等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的激增推動了對這些存儲...
時間：2024-03-06 閱讀：892 關(guān)鍵詞：存儲器
EEPROM是“Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory”的縮寫，翻譯成中文就是“電可擦除可編程只讀存儲器”。EEPROM是一種非易失性存儲器，它可以用來存儲數(shù)據(jù)，并且可以通過電子方式對其進行擦除和編...
時間：2024-03-04 閱讀：1031 關(guān)鍵詞：eeprom
動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種內(nèi)存芯片，用于計算機系統(tǒng)中作為主存儲器使用。它是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，其中的數(shù)據(jù)會丟失。DRAM通常以集成電路芯片的形式存在，用于...
時間：2024-02-26 閱讀：1185 關(guān)鍵詞：DRAM
SRAM電路通常由存儲矩陣、地址譯碼器和讀/寫控制電路(也稱輸入/輸出電路)三部分組成，如圖7.3.1所示。 存儲矩陣由許多存儲單元排列而成，每個存儲單元能存儲1 位二值數(shù)據(jù)(1或0)，在譯碼器和讀/寫電路的控制下，既...
時間：2024-02-20 閱讀：1082 關(guān)鍵詞：SRAM
SoC 設(shè)計：當(dāng)片上網(wǎng)絡(luò)滿足緩存一致性時
內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)中的緩存 CPU 內(nèi)部的寄存器數(shù)量相對較少，但速度極高。CPU 可以在單個時鐘周期內(nèi)訪問這些寄存器。然而，它們的存儲容量很小。相反，訪問主存儲器以讀取或?qū)?..
時間：2024-01-24 閱讀：1153 關(guān)鍵詞：SoC
存儲器是計算機系統(tǒng)中用于存儲和檢索數(shù)據(jù)的設(shè)備。根據(jù)不同的特性和工作原理，常見的存儲器種類包括： 內(nèi)部存儲器： 隨機存取存儲器（RAM）：RAM是一種易失性存儲器，可讀寫。它用于臨時存儲正在運行的程序和數(shù)...
時間：2024-01-23 閱讀：847 關(guān)鍵詞：存儲器
續(xù)流二極管的存儲電荷對功率 MOSFET 導(dǎo)通損耗的影響
兩種損失 原則上，功率半導(dǎo)體有兩種損耗：通態(tài)損耗和開關(guān)損耗。后者包括開通和關(guān)斷損耗。通態(tài)損耗由電流、通態(tài)電壓（對于 MOSFET，由其 R DSon）和占空比決定。在描述功...
時間：2024-01-17 閱讀：1096 關(guān)鍵詞：續(xù)流二極管
家庭儲能系統(tǒng)目前分為并網(wǎng)和離網(wǎng)兩種?！ 〔⒕W(wǎng)戶用儲能系統(tǒng)由太陽能與儲能系統(tǒng)混合供電，包括太陽能電池陣列、并網(wǎng)逆變器、BMS管理系統(tǒng)、電池組和交流負載五部分。當(dāng)市電...
時間：2024-01-16 閱讀：2297 關(guān)鍵詞：家用儲能系統(tǒng)電源
TI - OptiFlash 存儲器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)
在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶可以通過手機應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進行控制，同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人...
時間：2024-01-11 閱讀：423 關(guān)鍵詞：存儲器技術(shù)
邊沿觸發(fā)的觸發(fā)器電路結(jié)構(gòu)和工作原理
為了提高觸發(fā)器的可靠性，增強抗干擾能力，希望觸發(fā)器的次態(tài)僅僅取決于 CLK信號下降沿(或上升沿)到達時刻輸入信號的狀態(tài)。而在此之前和之后輸入狀態(tài)的變化對觸發(fā)器的次態(tài)沒...
時間：2024-01-09 閱讀：1683 關(guān)鍵詞：觸發(fā)器
CMOS 觸發(fā)器：JK、D 和 T 型觸發(fā)器
JK 觸發(fā)器 以下討論假設(shè)正邏輯 - 具有高電平有效輸入的邏輯 1?！ ∽帜?J 和 K 來自其發(fā)明者 Jack Kilby 的首字母縮寫?！ K觸發(fā)器消除了SR觸發(fā)器真值表的不確定性。...
時間：2024-01-04 閱讀：2552 關(guān)鍵詞：CMOS 觸發(fā)器
針對智能電網(wǎng)解決方案中的儲能元件進行優(yōu)化的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
能源轉(zhuǎn)型正在加速。風(fēng)電、光伏等可再生能源比重不斷增長。相反，必須隨時保證穩(wěn)定的電力供應(yīng)和可用性。這一不可否認的事實提出了未來分散能源系統(tǒng)中的能量存儲問題。以電流...
時間：2023-12-29 閱讀：2525 關(guān)鍵詞：DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)（PCS）僅占鋰離子 和鉛酸電池存儲系統(tǒng)總成本的一小部分，如圖1所示。然而，由于電池成本下降，PCS所占成本份額將會增加。電池單元的價格，如圖 2 所示。有鑒...
時間：2023-12-28 閱讀：915 關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器
熱參數(shù)概述 倒裝芯片 IC 封裝的熱特性通過其 θ JA、 Ψ JT和 Ψ JB參數(shù)來表征。θ JA是結(jié)點至環(huán)境熱阻（以 °C/W 為單位），這是一個系統(tǒng)級參數(shù)，很大程度上取決于系統(tǒng)...
時間：2023-12-25 閱讀：607 關(guān)鍵詞：儲能
什么是只讀存儲器？（又名代碼存儲器、又名程序存儲器） 微控制器存儲器分為與電氣特性（例如，易失性與非易失性）和架構(gòu)因素相對應(yīng)的類別，例如 8051 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器和“外部”數(shù)據(jù)存儲器之間的區(qū)別（外部 RAM ...
時間：2023-12-19 閱讀：607 關(guān)鍵詞：嵌入式內(nèi)存
內(nèi)存計算 (CiM) 已成為一種有吸引力的計算范例，可解決深度學(xué)習(xí)應(yīng)用傳統(tǒng)設(shè)計中的內(nèi)存和電源墻問題。借助 CiM，運行深度學(xué)習(xí)算法所需的部分計算可以在內(nèi)存本身中執(zhí)行，從而...
時間：2023-12-14 閱讀：1093 關(guān)鍵詞：鐵電電容器
什么是 DRAM？ 內(nèi)存是計算機運行的基礎(chǔ)。當(dāng)與 CPU 結(jié)合使用時，可以運行指令集（程序）并存儲工作數(shù)據(jù)。隨機存取存儲器（RAM）是一種眾所周知的存儲器類型，之所以如此稱呼是因為它能夠以大致相同的時間延遲訪問...
時間：2023-12-07 閱讀：1685 關(guān)鍵詞：DRAM
小型機器學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的內(nèi)存約束 在理解量化之前，有必要討論一下為什么神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通常會占用如此多的內(nèi)存?！ ∩窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)由一系列層中的一系列互連神經(jīng)元組成。如圖 1 所示，標(biāo)準(zhǔn)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)由互連的神經(jīng)元層組成，每...
時間：2023-12-06 閱讀：586 關(guān)鍵詞：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
LPDDR 閃存：針對汽車系統(tǒng)優(yōu)化的存儲器
這種新功能和先進功能的結(jié)合正在對傳統(tǒng)汽車 E/E 架構(gòu)的能力造成壓力（見圖1）。為了滿足這一需求，原始設(shè)備制造商正在通過采用域/區(qū)域架構(gòu)方法將更多功能整合到更少的系統(tǒng)...
時間：2023-12-06 閱讀：754 關(guān)鍵詞：LPDDR閃存
