數(shù)字邏輯電路具有哪些主要特點(diǎn)

從整體上來(lái)看，數(shù)字邏輯電路可分為組合邏輯電路和時(shí)序邏輯電路兩大類(lèi)。在邏輯功能方面，組合邏輯電路在任一時(shí)刻的輸出信號(hào)僅與當(dāng)時(shí)的輸入信號(hào)有關(guān)，與信號(hào)作用前電路原來(lái)所處的狀態(tài)無(wú)關(guān)；而時(shí)序邏輯電路在任一時(shí)刻的...

時(shí)間：2019-05-17 閱讀：1321 關(guān)鍵詞：數(shù)字邏輯電路具有哪些主要特點(diǎn)　數(shù)字邏輯電路

基于FRAM的存儲(chǔ)器和MCU器件構(gòu)建低功耗能量采集應(yīng)用

雖然EEPROM和閃存通常是大多數(shù)應(yīng)用中非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的，但鐵電RAM（FRAM）為能量收集應(yīng)用中的許多低功耗設(shè)計(jì)（如無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)）提供了明顯的優(yōu)勢(shì)。智能電表和其他數(shù)據(jù)記錄設(shè)計(jì)。憑借其延長(zhǎng)的寫(xiě)周期耐久性和...

時(shí)間：2023-07-17 閱讀：273 關(guān)鍵詞：基于FRAM的存儲(chǔ)器和MCU器件構(gòu)建低功耗能量采集應(yīng)用存儲(chǔ)器,MCU

使用高速NOR閃存配置FPGA

NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來(lái)的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車(chē)ADAS（駕駛輔助系統(tǒng)）等應(yīng)用中得到廣泛采用。汽車(chē)場(chǎng)景中攝像頭系統(tǒng)的快速啟動(dòng)時(shí)間...

時(shí)間：2019-03-12 閱讀：861 關(guān)鍵詞：使用高速NOR閃存配置FPGANOR閃存

利用可充電薄膜存儲(chǔ)器件設(shè)計(jì)電源

薄膜電池為工程師提供了一個(gè)獨(dú)特的組件，可用于為電路設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)電源。薄膜器件具有超級(jí)電容器和傳統(tǒng)電池的許多優(yōu)點(diǎn)，是半導(dǎo)體器件，可簡(jiǎn)化電路集成，同時(shí)提供高能量密度，放電速率和生命周期。工程師可以使用Cymbet和...

時(shí)間：2023-07-17 閱讀：197 關(guān)鍵詞：利用可充電薄膜存儲(chǔ)器件設(shè)計(jì)電源存儲(chǔ)器

Hyperstone推出低功耗SSD控制器：X1支持可靠的3D閃存

Hyperstone宣布推出型號(hào)為X1的新型SATA III SSD控制器。X1的設(shè)計(jì)完全滿足工業(yè)領(lǐng)域需求，目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模組，CFast卡和eSSD的系統(tǒng)封裝盤(pán)以及板載控制器和閃存芯片的閃存盤(pán)等?！』谙冗M(jìn)的...

時(shí)間：2023-06-21 閱讀：166 關(guān)鍵詞：Hyperstone推出低功耗SSD控制器：X1支持可靠的3D閃存3D閃存,SSD控制器

如何簡(jiǎn)化鋰離子儲(chǔ)能設(shè)備在能量采集設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

鋰離子電池為儲(chǔ)能過(guò)剩提供了有效的解決方案，滿足了能量收集應(yīng)用中的峰值功率要求。然而，保持電池健康需要在充電和放電操作期間仔細(xì)注意電壓水平。通過(guò)使用包括Cymbet Corporation，Linear Technology，Maxim Integ...

時(shí)間：2019-01-24 閱讀：1837 關(guān)鍵詞：如何簡(jiǎn)化鋰離子儲(chǔ)能設(shè)備在能量采集設(shè)計(jì)中的應(yīng)用鋰離子儲(chǔ)能設(shè)備

具有不同的存儲(chǔ)器單元和存儲(chǔ)器架構(gòu)的微控制器介紹

內(nèi)存技術(shù)不會(huì)停滯不前。內(nèi)存架構(gòu)發(fā)生變化，更快，更有效的結(jié)構(gòu)被創(chuàng)建并用于連續(xù)幾代，例如DRAM到SDRAM到DDR到DDR1，2，3等等。但是，內(nèi)存演進(jìn)不僅限于結(jié)構(gòu)改進(jìn)。存儲(chǔ)器單元本身的基礎(chǔ)技術(shù)一直在改進(jìn)。工藝和設(shè)計(jì)針對(duì)...

時(shí)間：2019-01-24 閱讀：957 關(guān)鍵詞：具有不同的存儲(chǔ)器單元和存儲(chǔ)器架構(gòu)的微控制器介紹微控制器

淺談FinFET存儲(chǔ)器的缺陷修復(fù)和測(cè)試算法

同任何IP模塊一樣，存儲(chǔ)器必須接受測(cè)試。但與很多別的IP模塊不同，存儲(chǔ)器測(cè)試不是簡(jiǎn)單的通過(guò)/失敗檢測(cè)。存儲(chǔ)器通常都設(shè)計(jì)了能夠用來(lái)應(yīng)對(duì)制程缺陷的冗余行列，從而使片上系統(tǒng)（SoC）良率提高到90%或更高。相應(yīng)地，由...

時(shí)間：2019-01-03 閱讀：987 關(guān)鍵詞：淺談FinFET存儲(chǔ)器的缺陷修復(fù)和測(cè)試算法存儲(chǔ)器

內(nèi)存工作原理及作用

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存（Memory）也被稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)...

時(shí)間：2018-12-29 閱讀：3545 關(guān)鍵詞：內(nèi)存工作原理及作用內(nèi)存

東芝N300 NAS硬盤(pán)和X300內(nèi)置硬盤(pán)系列新增12TB和14TB型號(hào)

新的12TB和14TB型號(hào)采用氦密封設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了3.5英寸機(jī)械設(shè)計(jì)，提供更高的存儲(chǔ)密度以及較低的硬盤(pán)工作功率分布。東芝激光焊接技術(shù)和硬盤(pán)機(jī)箱設(shè)計(jì)使得氦氣安全地密封在驅(qū)動(dòng)器外殼內(nèi)。 新的12TB和14TB型號(hào)轉(zhuǎn)速是7，200rp...

時(shí)間：2018-12-10 閱讀：2757 關(guān)鍵詞：東芝N300 NAS硬盤(pán)和X300內(nèi)置硬盤(pán)系列新增12TB和14TB型號(hào)東芝，內(nèi)置硬盤(pán)

基于SystemC的存儲(chǔ)器模型設(shè)計(jì)與性能分析

建立芯片模型是在早期進(jìn)行芯片架構(gòu)決策的有效方法，通過(guò)建模不僅可以對(duì)芯片的性能做出分析，還可以在硬件沒(méi)有完成之前開(kāi)發(fā)軟件，不僅提高了產(chǎn)品成功率，而且縮短了研發(fā)周期。設(shè)計(jì)人員早期采用C/C++語(yǔ)言進(jìn)行硬件建模...

時(shí)間：2023-07-17 閱讀：273 關(guān)鍵詞：基于SystemC的存儲(chǔ)器模型設(shè)計(jì)與性能分析存儲(chǔ)器

關(guān)于存儲(chǔ)器的一些基礎(chǔ)知識(shí)整理

RAM　　Random-Access-Memory,隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，可讀可寫(xiě)，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，...

時(shí)間：2018-11-24 閱讀：789 關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器的,基礎(chǔ)知識(shí),