簡(jiǎn)單的 5 分量振蕩器工作電壓低于 0.8V

如圖1所示，佩爾茨振蕩器只需要兩個(gè)晶體管、一個(gè)電容、一個(gè)電感和一個(gè)電阻。在此配置中，輸出電壓是一個(gè)以地為參考的、直接耦合的、低失真正弦波，以約 1 Vbe 的電壓在地上...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-11-13 閱讀：257

分立柵極驅(qū)動(dòng)器電路

每個(gè)功率晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器緊密配合，作為電力電子開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的基本構(gòu)建塊。在導(dǎo)通時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器從去耦電容器獲取電荷并將其傳送到功率晶體管的柵極電容，同時(shí)電流從功率...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-10-24 閱讀：477

基本電感器模型的降壓轉(zhuǎn)換器電路

圖 2 顯示了帶有電感器的降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。請(qǐng)注意，電感器的基本電路模型僅包括直流電阻和固定電感器值。直流電阻值將提供對(duì)電感器耗散的非常低的估計(jì)。有兩種方法可以評(píng)估...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-10-23 閱讀：457

GaN 晶體管電路的布局注意事項(xiàng)

由于 GaN 的高開(kāi)關(guān)速度而導(dǎo)致的寄生電感　　在比老化功率 MOSFET 更高的頻率下使用 GaN，使功率轉(zhuǎn)換電路中寄生電感的退化效應(yīng)成為焦點(diǎn) [1]。這種電感阻礙了 GaN 超快速開(kāi)關(guān)...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-10-22 閱讀：353

三級(jí)飛電容升壓器的操作和行為

在此拓?fù)渲校郊与妷弘娖接呻娙萜鳎此^的快速電容器）合成?！　≡谌娖角闆r下，飛跨電容的電壓是輸出電壓的一半。電容可以在正負(fù)方向上抵消輸出電壓V_DC/2。三電平飛...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-10-17 閱讀：466

晶體管抑制漏感

在使用初級(jí)調(diào)節(jié)的反激式轉(zhuǎn)換器中，電源次級(jí)繞組和初級(jí)輔助繞組之間的松散耦合通常會(huì)導(dǎo)致交叉調(diào)節(jié)不良。這種情況主要是由漏感引起的，但也來(lái)自初級(jí)鉗位電壓的水平。 圖 1...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-10-16 閱讀：343

電路制作簡(jiǎn)單的高壓逆變器

簡(jiǎn)單的高壓 MOSFET 逆變器使用低壓晶體管 Q 1和涉及 D 6的特殊布置解決了驅(qū)動(dòng)高側(cè) MOSFET 的問(wèn)題（圖 1）。該逆變器比光耦合器驅(qū)動(dòng)的逆變器快得多，因此死區(qū)時(shí)間問(wèn)題很小。...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-10-12 閱讀：473

高壓二極管和高壓硅堆應(yīng)用電路

外形　　高壓二極管是一種耐壓很高的二極管，在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于多個(gè)二極管串疊在一起構(gòu)成的。高壓硅堆是一種結(jié)構(gòu)功能與高壓二極管基本相同的元件,高壓硅堆一般體積較大。高壓...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-10-11 閱讀：646

構(gòu)建具有超低靜態(tài)電流的電荷泵

便攜式電池供電設(shè)備的大部分使用壽命通常都處于待機(jī)模式，在這種模式下，內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器的靜態(tài)電流會(huì)不斷消耗電池電量。待機(jī)期間的靜態(tài)電流可能大于實(shí)際負(fù)載電流。盡管一些...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-09-30 閱讀：504

直流晶閘管電路

當(dāng)連接到直流 DC 電源時(shí)，晶閘管可用作 DC 開(kāi)關(guān)，以控制更大的 DC 電流和負(fù)載。當(dāng)使用晶閘管作為開(kāi)關(guān)時(shí)，它的行為就像電子閂鎖，因?yàn)橐坏┘せ睿蜁?huì)保持“開(kāi)啟”狀態(tài)，直...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-08-30 閱讀：680

了解直流電路電容器的行為

電容器是絕緣體，因此在任何包含電容器的電路中測(cè)量的電流都是自由電子從電容器的正極移動(dòng)到該電容器或另一個(gè)電容器的負(fù)極的移動(dòng)。電流不會(huì)流過(guò)電容器，因?yàn)殡娏鞑粫?huì)流過(guò)絕...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-08-09 閱讀：781

了解電子元件和電路中的滯后

比較器電路中的遲滯　　比較器電路可能是電子設(shè)計(jì)中故意遲滯最具代表性的使用。顧名思義，比較器是一種比較兩個(gè)輸入信號(hào)并通過(guò)其輸出電壓指示兩個(gè)輸入中哪個(gè)具有更高電壓的...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-08-05 閱讀：764

隔離電位器

手動(dòng)電位器有三個(gè)端子，分別為 VP+（最高電壓端）、VP?（最低電壓端）和 VPW（滑動(dòng)端）。電位器由以下簡(jiǎn)化電路模擬?！　　∧康氖菍㈦娢黄麟娢黄麟娢黄麟妷篤 PW 復(fù)制為電位...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-07-17 閱讀：499

MP2639A的典型應(yīng)用電路

MP2639A 是一款完全集成且靈活的電池充電管理 IC，可通過(guò) 5V 電源為兩個(gè)串聯(lián)電池充電。USB 端口因其通用兼容性和減少內(nèi)置電源的電子垃圾而被便攜式設(shè)備廣泛使用。此外，隨...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-06-28 閱讀：730

Tektronix - 電化學(xué)測(cè)試方法詳解

伴隨當(dāng)今世界發(fā)展，不僅電化學(xué)理論和電化學(xué)方法不斷創(chuàng)新，而且在應(yīng)用領(lǐng)域也占有越來(lái)越重要的地位。新能源汽車工業(yè)以及生物電化學(xué)這些領(lǐng)域所取得的突出成績(jī)都是比較典型的例...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-06-13 閱讀：1223

交流固態(tài)繼電器的內(nèi)部電路與工作原理

圖8—13典型的交流固態(tài)繼電器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)及等效圖　　如圖8—13（a）所示，當(dāng)3、4端未加控制電壓時(shí)，光電耦合器內(nèi)的光敏管截止，VT基極電壓高而飽和導(dǎo)通，VT集電極電壓...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-06-12 閱讀：1281

濕敏電阻器的應(yīng)用電路

濕敏電阻器具有阻值隨濕度變化而變化的特點(diǎn)，利用該特點(diǎn)可以用濕敏電阻器作為傳感器來(lái)檢測(cè)環(huán)境濕度的大小。濕敏電阻器的典型應(yīng)用電路如圖1—32所示?！　D1—32所示是一個(gè)...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-06-12 閱讀：1206

激光二極管應(yīng)用電路

影碟機(jī)的激光頭是依靠?jī)?nèi)部的激光二極管發(fā)出激光，為了防止激光二極管發(fā)光過(guò)強(qiáng)損壞，有的激光二極管內(nèi)部除了有激光二極管（LD）外，還有一個(gè)用于檢測(cè)激光強(qiáng)弱的光電二極管（...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-06-11 閱讀：1455

雙基極二極管(單結(jié)晶管)構(gòu)成的振蕩電路

圖4-36所示是由雙基極二極管(單結(jié)晶管)構(gòu)成的振蕩電路。該電路主要由雙基極二極管、電容和一些電阻等元件構(gòu)成，當(dāng)合上電源開(kāi)關(guān)S后，電路會(huì)工作，在電容C上會(huì)形成圖4-36(b)...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-06-11 閱讀：1332

NPN型三極管的電流、電壓規(guī)律電路

圖5—5（a）所示為NPN型三極管的偏置電路。從圖5—5（a）中可以看出，NPN型三極管的集電極接電源的正極，發(fā)射極接電源的負(fù)極，基極通過(guò)電阻接電源的正極，這與PNP型三極管...

分類：基礎(chǔ)電路 時(shí)間：2024-06-07 閱讀：1988