，本文主要對(duì)官方驅(qū)動(dòng)故障檢測(cè)電路進(jìn)行詳細(xì)講解。

從上圖的 SIC 驅(qū)動(dòng)電路能夠看出，驅(qū)動(dòng) PWM 信號(hào)為 GD_HF_UP 和 GD_HF_DN，這些信號(hào)經(jīng)過 SI8621BC - B - IS 光耦后傳輸?shù)綎艠O驅(qū)動(dòng)芯片 IVCR1401 上。IVCR1401 是一款高速 4A 拉、灌電流的 SiC MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片，它具備負(fù)壓生成、退飽和以及 UVLO 設(shè)置等功能，是專門為 SiC MOSFET 和 IGBT 設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器。不過，在使用 IVCR1401 柵極驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，有一個(gè)關(guān)鍵問題需要注意，那就是禁止外接?xùn)艠O下拉電阻。因?yàn)榉胖靡粋€(gè)下拉電阻可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)壓在不同的 PWM 占空比下偏離 - 3.5V 左右，從而影響芯片的正常工作。

本人將兩路驅(qū)動(dòng)單獨(dú)整理出一路，如下圖所示。

該柵極驅(qū)動(dòng)器芯片外圍電路配置主要有以下幾個(gè)需要重點(diǎn)關(guān)注的問題：

1. 退飽和電路：退飽和電路在整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中起著關(guān)鍵作用，它能夠確保芯片在出現(xiàn)過流等異常情況時(shí)，及時(shí)將 MOSFET 或 IGBT 從飽和狀態(tài)中退出，保護(hù)芯片不受損壞。
2. 欠壓飽和輸出提示電路：欠壓輸出提示引腳（IFAULT）是沒有內(nèi)部上拉電阻的集電極開路輸出（OC 門輸出），這種設(shè)計(jì)便于與外部檢測(cè)芯片進(jìn)行電平匹配。當(dāng)檢測(cè)到退飽和及欠壓情況時(shí)，IFAULT 引腳和 OUT 均會(huì)被拉低。在故障狀態(tài)消除后，IFAULT 信號(hào)將保持低電平 10us，由此可以看出這是一個(gè)純開環(huán)的檢測(cè)機(jī)制。

由于采用了兩路帶有 FAULT（欠壓和飽和保護(hù)）的電路，因此將這兩個(gè)信號(hào)經(jīng)過光耦隔離后，通過如上圖的 FLT 網(wǎng)絡(luò)端口，再經(jīng)過一個(gè)與門和一個(gè)施密特觸發(fā)器，直接拉低觸發(fā)關(guān)斷該控制芯片的輸出欠壓保護(hù)，從而使芯片關(guān)閉。具體情況如下圖所示：

UP 和 DN 是欠壓和飽和狀態(tài)的兩路輸入信號(hào)，當(dāng)處于 1/0 或 0/1 或 0/0 狀態(tài)時(shí)（即兩路中有一路或兩路出現(xiàn) Fault），與門的 Y 輸出為 0，Q1 由導(dǎo)通變?yōu)椴粚?dǎo)通，CLK 信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)上升沿，D 觸發(fā)器的數(shù)據(jù)管腳輸入數(shù)據(jù)（高電平），Q 輸出高電平，Q# 輸出低電平，Q2 截止，Q3 導(dǎo)通，VDC SEN CTR 就被置低。VDC SEN CTR 連接到芯片的輸出欠壓保護(hù)引腳，將該引腳電壓拉低，直接關(guān)閉芯片。
D 觸發(fā)器的功能是對(duì) Fault 狀態(tài)進(jìn)行鎖存，只有當(dāng) UP 和 DN 都為 1，并且 S1 按鍵按下時(shí)，才會(huì)解除 Fault 模式。這種設(shè)計(jì)確保了在故障發(fā)生后，能夠準(zhǔn)確地鎖定故障狀態(tài)，避免誤操作，同時(shí)也提供了一種可靠的故障解除方式。通過對(duì)這個(gè)模擬芯片驅(qū)動(dòng)的無橋 PFC 驅(qū)動(dòng)故障檢測(cè)電路的深入分析，我們可以更好地理解其工作原理和設(shè)計(jì)思路，為實(shí)際的電路設(shè)計(jì)和調(diào)試提供重要的參考依據(jù)。