反激式拓?fù)?br>　　在低功率水平下，反激式拓?fù)淇赡苁请x線設(shè)計的最佳選擇。它是最便宜的隔離拓?fù)渲唬驗樗褂玫慕M件數(shù)量非常少。過去，通常使用光耦合器來調(diào)節(jié)次級側(cè)輸出，但現(xiàn)代準(zhǔn)諧振 (QR) 反激控制器提供初級側(cè)調(diào)節(jié)，使設(shè)計人員能夠完全繞過光耦合器。
　　初級側(cè)調(diào)節(jié)通過偏置繞組使用磁反饋來閉合反饋環(huán)路。這使其成為最具成本效益的隔離式離線拓?fù)渲?，因為連接到偏置繞組的簡單電阻分壓器足以調(diào)節(jié)輸出電壓。本文重點關(guān)注如何實現(xiàn)初級側(cè)調(diào)節(jié) QR 反激式的低待機(jī)功耗。
　　原邊調(diào)節(jié)反激式
　　　圖 1：初級側(cè)調(diào)節(jié)反激式
　　圖 1 顯示了 Texas Instruments 的 PS QR 反激式控制器 (UCC28710) 的原理圖。準(zhǔn)諧振操作利用由電路寄生效應(yīng)和初級電感引起的諧振振鈴來降低開關(guān)損耗（參見圖 2：開關(guān)節(jié)點電壓）。
　　變壓器磁芯完全消磁后（次級側(cè)電流已斜坡下降至零），將出現(xiàn)由初級電感和存儲在寄生開關(guān)節(jié)點電容中的能量引起的諧振振鈴。控制器檢測諧振振鈴的波谷并開啟MOSFET。開關(guān)頻率發(fā)生變化，以使開關(guān)事件發(fā)生在波谷。谷底處的較低開關(guān)節(jié)點電壓降低了開關(guān)損耗。
　　　圖 2：開關(guān)節(jié)點電壓（初級 MOSFET 的漏極至源極電壓）
　　待機(jī)電源的組成
　　總待機(jī)功耗由兩個主要部分組成。
　　能量，每個開關(guān)周期從輸入中獲取。
　　啟動電路丟失。
　　輸入橋式整流器和大容量電容器的漏電損耗對總損耗也有一定影響，但它們非常?。词馆斎腚妷簽?230VAC，通常也低于 1mW），并且僅在實現(xiàn)零待機(jī)功耗時才需要考慮。
　　寄生開關(guān)節(jié)點電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)也會增加待機(jī)功耗的額外損耗。
　　最小循環(huán)能量
　　控制器在每個開關(guān)周期從輸入中獲取最少的能量，稱為最小周期能量。最低可能的最小循環(huán)能量的兩個限制因素是最小可控接通時間t on_min和最小開關(guān)頻率f sw_min。 t on_min不能受設(shè)計者影響。該時間主要由前沿消隱時間決定，并在數(shù)據(jù)表中給出。相反，f sw_min可以由設(shè)計者選擇。通常，控制器的最小可能開關(guān)頻率或所需的瞬態(tài)響應(yīng)定義為 f sw_min。不幸的是，低待機(jī)功耗和快速瞬態(tài)響應(yīng)之間需要權(quán)衡。 f sw_min越低，待機(jī)功耗越低，但這會對瞬態(tài)響應(yīng)產(chǎn)生負(fù)面影響。
　　為什么會這樣呢？初級側(cè)調(diào)節(jié)器不會持續(xù)監(jiān)控輸出電壓?？刂破髟诿總€開關(guān)周期僅對輔助電壓采樣一次，以控制輸出電壓。在其余時間里，控制器是盲目的。檢測負(fù)載瞬態(tài)可能需要一段時間，這意味著瞬態(tài)響應(yīng)在較長的時間段和較低的開關(guān)頻率下會更差。
　　啟動電路
　　有一種電阻啟動方法，該方法會導(dǎo)致待機(jī)功耗大幅增加，因為啟動電阻器永久連接到非常高的體電壓 VBLK，從而允許電阻器中耗散功率。對于低待機(jī)功耗應(yīng)用，必須使用主動啟動方法，如控制器 UCC28710（參見圖 1）。原理很簡單，用常開器件（通常是耗盡型 FET）代替啟動電阻。一旦輸出電壓上升，控制器即可關(guān)閉啟動 FET。這顯著降低了啟動電路中的損耗。
　　TVS 緩沖網(wǎng)絡(luò)
　　對于低待機(jī)功耗應(yīng)用，最好使用 TVS 緩沖器而不是 RCD（電阻器、電容器、二極管）緩沖器。雖然 TVS 緩沖器更昂貴，但它實現(xiàn)了更高的效率，因為在 TVS 陰極電壓達(dá)到 Vin+Vclamp 之前功率不會耗散。
　　選擇正確的二極管也非常重要 - 如果TVS緩沖器用于谷底開關(guān)拓?fù)洌瑒t超快二極管非常重要。在一些低功耗應(yīng)用中，可以放棄緩沖網(wǎng)絡(luò)。這將進(jìn)一步降低待機(jī)功耗。
　　寄生開關(guān)節(jié)點電容
　　寄生開關(guān)節(jié)點電容C SN對待機(jī)功率也有影響。 C SN是 MOSFET (C oss )、變壓器、緩沖二極管、輸出二極管和布局的寄生電容之和。主導(dǎo)部分是 MOSFET 輸出電容 C oss。每個開關(guān)周期能量EIN_PAR ( E IN_PAR = C SN *V BULK 2 ) 存儲在C SN中。該能量的一部分在開關(guān)和緩沖器中耗散。剩余的能量被傳送到輔助和次級輸出。降低 CSN 有助于實現(xiàn)非常低的待機(jī)功耗。
　　最小負(fù)載要求
　　如果循環(huán)能量沒有被吸收，那么輸出電壓就會失去調(diào)節(jié)，并且在輸出空載時會增加。通過在輸出上施加最小負(fù)載（通常以電阻器的形式）可以防止這種情況。事實上，較大的預(yù)負(fù)載可以改善瞬態(tài)響應(yīng)，但會增加待機(jī)功耗。如果次級側(cè)部件能夠承受更高的輸出電壓，則可以使用非常低的最小負(fù)載，從而降低待機(jī)功耗。