這是一個(gè)三相供電圖，Q1和Q2組成一相，Q3和Q4組成一相，Q5和Q6組成一相。每一相都是在PWM控制IC（CS5301）的控制下，輪流導(dǎo)流的，而不是同時(shí)導(dǎo)通。CS5301通過(guò)Gate1（H）腳輸出控制Q1導(dǎo)通與截止，通過(guò)Gate2（L）輸出控制Q2的導(dǎo)通與截止。當(dāng)Gate1（H）輸出時(shí)，Q1導(dǎo)通，此時(shí)Q2截止（Gate1（L）無(wú)輸出），+12V
　　端L4及濾波電容C15和C16的儲(chǔ)能，通過(guò)Q1釋放并向L1及其后并聯(lián)的濾波電容（儲(chǔ)能電容的安裝數(shù)字電路的電源線與回流線之間總要連接很多的電容器通常稱為濾波電容。）充電，L1儲(chǔ)能。當(dāng)Q1截止Q2導(dǎo)通時(shí)，L1上的儲(chǔ)能通過(guò)Q2向?yàn)V波電容充電。一相完成一個(gè)導(dǎo)通截止期后，下一相再工作。多相輪流工作的好處是，功率管有更多的休息時(shí)間，減小了發(fā)熱。
　　有的主板為減小發(fā)熱，每一相上還并聯(lián)一個(gè)MOS管，或預(yù)留有并聯(lián)的位置。（發(fā)給媒體評(píng)測(cè)的板子就焊上并聯(lián)管，零售的就取消了變成了預(yù)留并聯(lián)位）
　　因?yàn)镃PU的供電電壓為低電壓（1.1-1.8V），而電源為CPU供電的電壓比較高（P4為+12V,AMD大部分是+5V現(xiàn)在AMD也越來(lái)越多的用+12V供電了），所以Q1通過(guò)的電流比Q2要小，Q1可以取指標(biāo)小點(diǎn)。同樣，儲(chǔ)能電感L4的指標(biāo)也比后面的L1（L2、L3）小，我們?cè)谥靼鍖?shí)物中看到：如果是環(huán)形的L4（和L1、L2、L3外形相同），但它上面繞的線也比L1等要稀。
　　這也是我們?cè)谝恍┲靼迳峡吹組OS管（mos管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。）大小不一樣的情景。大多數(shù)主板為了采購(gòu)生產(chǎn)方便，Q1和Q2型號(hào)相同。
　　以上實(shí)質(zhì)上就是一個(gè)DC-DC變換，L4及C15-16組成前級(jí)DC.L1（L2、L3及并聯(lián)的濾波電容）構(gòu)成后級(jí)DC
　　通過(guò)上面介紹，我們知道PWM供電電路必須包含前DC-DC的前級(jí)電路和DC-DC后級(jí)各相組成的電路。根據(jù)這個(gè)特點(diǎn)，我們就比較好分辨出主板是幾相供電了。