在電子電路設(shè)計中，EMC和EMI是開發(fā)者永遠(yuǎn)需要面對的問題。電路效率再高，不能滿足EMC的要求也是無濟(jì)于事，因此如何通過EMC和EMI的測試成為了開發(fā)者關(guān)心的話題，本文將為大家介紹在EMI和EMC中應(yīng)該注意的那些問題，感興趣的朋友快來看一看吧。
    1、把噪音電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅箔面積限度地減??；如開關(guān)管的漏極、集電極，初次級繞組的節(jié)點(diǎn)等。
    2、使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開關(guān)管的散熱片，等等。
    3、使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線包，未遮蔽的變壓器磁芯，和開關(guān)管，等等）遠(yuǎn)離外殼邊緣，因?yàn)樵谡２僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€。
    4、如果變壓器沒有使用電場屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。
    5、盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級（輸出）整流器，初級開關(guān)功率器件，柵極（基極）驅(qū)動線路，輔助整流器。
    6、不要將門極（基極）的驅(qū)動返饋環(huán)路和初級開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。
    7、調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開關(guān)的死區(qū)時間里不產(chǎn)生振鈴響聲。
    8、防止EMI濾波電感飽和。
    9、使拐彎節(jié)點(diǎn)和次級電路的元件遠(yuǎn)離初級電路的屏蔽體或者開關(guān)管的散熱片。
    10、保持初級電路的擺動的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。
    11、使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。
    12、保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。
    13、使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。
    14、在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。
    15、在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

    16、在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。
    17、在PCB設(shè)計時允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間。
    18、保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器；尤其是避免定位在繞包的端部。
    19、在PCB面積足夠的情況下，可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。
    20、空間允許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個小徑向引線電容器（米勒電容，10皮法/1千伏電容）。
    21、空間允許的話放一個小的RC阻尼器在直流輸出端。
    22、不要把AC插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起。
    23、金屬外殼的濾波器的接地直接通過其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線是否互相靠近。
    24、適當(dāng)調(diào)整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量；
    25、調(diào)整Y電容時要注意安全問題；改變參數(shù)可能會改善某一段的輻射，但是卻會導(dǎo)致另外頻度變差，所以需要不斷的試，才能找到的組合。
    26、適當(dāng)增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個好辦法；可在開關(guān)管晶體管的集電極（或者是MOS管的漏極）或者是次級輸出整流管對地接一個小電容也可以有效減小共模開關(guān)噪聲。
    27、開關(guān)電源板在PCB布線時一定要控制好各回路的回流面積，可以大大減小差模輻射。28.PCB電源走線中增加104/103電容為電源去耦；在多層板布線時要求電源平面和地平面緊鄰；
    29、在電源線上套磁環(huán)進(jìn)行比對驗(yàn)證，以后可以通過在單板上增加共模電感來實(shí)現(xiàn)，或者在電纜上注塑磁環(huán)。
    30、輸入AC線的L線的長度盡量短；屏蔽設(shè)備內(nèi)部，孔縫附近是否有干擾源；
    31、檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆，是否接地良好。
    本文介紹了31個與EMC和EMI測試設(shè)計有關(guān)的技巧，通過這些技巧，開發(fā)者能夠很快的掌握電磁干擾測試，并在一開始便按照這些規(guī)范來進(jìn)行設(shè)計，從而在之后的開發(fā)中省去大量的時間以及金錢成本。