爾必達(dá)公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段，年底前則可實(shí)現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)的消息來源稱，預(yù)見到SDRAM內(nèi)存將出現(xiàn)供應(yīng)短缺的局面，臺灣地區(qū)集成電路設(shè)計(jì)廠商和韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體公司本星期開始將把16兆、64兆和128兆SDRAM內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格提高10%至15%。SDRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)短缺主要是因?yàn)榘ㄏ蠕h國際半導(dǎo)體公司、華邦電子和中芯國際等在內(nèi)的主要廠商正在放棄價(jià)格低廉的SDRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)，開始轉(zhuǎn)產(chǎn)LCD驅(qū)動(dòng)芯片和邏輯集成電路。

　　SGRAM （Synchronous Graphics Random-Access Memory），同步圖形隨機(jī)存儲器，是一種專為顯卡設(shè)計(jì)的顯存、一種圖形讀寫能力較強(qiáng)的顯存，由SDRAM改良而成。SGRAM讀寫數(shù)據(jù)時(shí)不是一一讀取，而是以“塊”（Block）為單位，從而減少了內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，提高了圖形控制器的效率。同SDRAM一樣，SGRAM也分普通SGRAM與DDR SGRAM兩種。

　　比較舊有的50nm制程產(chǎn)品，新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時(shí)也可以在DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的耗電量便可比過去下降45%左右。

　　在目前的數(shù)字化、高清化的時(shí)代大背景下，對于個(gè)人計(jì)算機(jī)而言，圖形設(shè)備無疑是重中之重。只有在底層支持度達(dá)到完美的前提下，外設(shè)和應(yīng)用才能夠有發(fā)展的可能性。那么對于獨(dú)立顯卡這個(gè)東西來說，目前的架構(gòu)發(fā)展依舊在正常的軌道上，主流的獨(dú)顯筆記本電腦已經(jīng)都開始采用nVIDIA GeForce 5xxM系列或者AMD Radeon 6xxxM系列顯卡。這些芯片的更新每年基本都保持著穩(wěn)定的性能上升，如果在此基礎(chǔ)上仍然對更高的性能有所渴望，那么顯存規(guī)格就是應(yīng)該被考量的指標(biāo)。也許在以往很多人非常在意顯存容量，但現(xiàn)在可能已經(jīng)不再如此，芯片型號變得比以往被更多地關(guān)注起來，雖然前者過度關(guān)注容量本身存在誤區(qū)，但其實(shí)與顯存相關(guān)的話題當(dāng)中的確有非常值得注意的，我們今天要談的就是和顆粒規(guī)格有關(guān)的事情。

　　爾必達(dá)同時(shí)表示，從50nm制程轉(zhuǎn)換到40nm制程的成本很低，幾乎相當(dāng)于零，而從65nm制程技術(shù)轉(zhuǎn)換至40nm所需的成本也可以控制在比較理想的范圍之內(nèi)。

　　除了積極開發(fā)更小尺寸的制程工藝技術(shù)之外，爾必達(dá)同時(shí)也在積極完善現(xiàn)有的舊制程技術(shù)，他們正在開發(fā)65nm XS制程技術(shù)，這種技術(shù)據(jù)稱可與其它公司的50nm制程級別產(chǎn)品一爭高下。

　　爾必達(dá)還表示，其在下屬臺灣合資企業(yè)中推進(jìn)40nm制程的政策將采取靈活應(yīng)變的思路，會根據(jù)市場需求的實(shí)際變化來做出決定。

　　另外，爾必達(dá)還宣稱采用了新制造系統(tǒng)（即按產(chǎn)品類別區(qū)分產(chǎn)線，將移動(dòng)產(chǎn)品用內(nèi)存和PC內(nèi)存等不同用途的產(chǎn)品安排在不同的產(chǎn)線上生產(chǎn)）的廣島分廠的產(chǎn)品良率取得了不錯(cuò)的提升。

　　爾必達(dá)表示如果未來的DRAM內(nèi)存市場狀況允許，他們有可能會將40nm制程產(chǎn)品的產(chǎn)出量提升到總產(chǎn)量的50%。

　　相比之下，韓國廠商三星則早在今年七月份即宣稱完成了40nm制程2Gb DDR3 1600內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，這種內(nèi)存芯片工作電壓可低至1.35v。