富士通微電子推出全新256Mbit移動快速循環(huán)隨機存儲器（FCRAM）。該移動快速循環(huán)隨機存儲器是一種偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)，在富士通快速循環(huán)隨機存儲器的技術(shù)的基礎(chǔ)上帶有一個靜態(tài)存儲器接口，可以實現(xiàn)高速運算和低電耗，非常適用于手機等各種移動應(yīng)用。 
　　該新款移動快速循環(huán)隨機存儲器MB82DDS08314A采用雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)突發(fā)模式，完全符合移動隨機存儲器(COSMORAM) Revision 4的通用規(guī)格要求。該產(chǎn)品器件有以下特點： 
　　雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)同步突發(fā)模式 
　　多重地址/數(shù)據(jù)接口 
　　高速數(shù)據(jù)傳輸速度，可達(dá)1GByte/s 
　　短延遲模式，初始接入時間短 
　　富士通的快速循環(huán)隨機存儲器(FCRAM)產(chǎn)品系列在現(xiàn)有的偽靜態(tài)隨機訪問存儲器（PSRAM）平臺的基礎(chǔ)上可以實現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)傳輸速率，并包含多樣化功能，如數(shù)碼照相、數(shù)碼攝像和地面數(shù)字廣播流。另外，客戶不需要復(fù)雜的電板設(shè)計，因為新的產(chǎn)品器件通過多重地址和數(shù)據(jù)總線可以將針數(shù)減到少。 
　　兩種器件不僅提供封裝好的產(chǎn)品，同時還有芯片和晶片的供應(yīng)形式。